MOS Transistor 레이아웃을 할 때 고려해야 할 또 다른 중요한 요소는 STI effect이다.정확하게는 Shallow Trench Isolation stress effect 라고 한다.공정이 미세화 되면서 STI 이외에도 여러가지 stress effect가 (특히 FINFET 공정에서) 대두되고 있지만, 이 중 가장 기본적인 STI stress effect에 대해 이야기해 보자. 먼저, STI란 디바이스와 디바이스를 분리해 주기 위한 구조이다. 쉽게 말하자면 active 와 active를 분리해 주는 역할을 한다. 250nm 이전의 공정에서는 아래 그림과 같이 LOCOS(Local Oxidation of Silicon) 구조를 사용하였는데, 이 구조는 공정 진행 과정에서 edge쪽의 산화막 형..
